半導(dǎo)體制造技術(shù)作為信息時(shí)代制造的基礎(chǔ)，堪比工業(yè)時(shí)代的機(jī)床，是整個(gè)社會(huì)發(fā)展的基石和原動(dòng)力。在產(chǎn)業(yè)分工格局重塑的關(guān)鍵時(shí)期，我國(guó)也提出了《中國(guó)制造2025》，以通過(guò)智能制造實(shí)現(xiàn)由制造大國(guó)向制造強(qiáng)國(guó)的轉(zhuǎn)換，智能制造(工業(yè)4.0)的實(shí)現(xiàn)，以各種信息器件的使用為基礎(chǔ)，半導(dǎo)體制造技術(shù)正是其制造的核心技術(shù)。而氫氣作為半導(dǎo)體制造中的氣源，在半導(dǎo)體材料及器件制備中起到至關(guān)重要的作用。可在光電器件、傳感器、IC制造中應(yīng)用。
 

　　目前半導(dǎo)體工藝中氫氣主要用于退火、外延生長(zhǎng)、干法刻蝕等工藝，其中：
 

　　退火是通過(guò)高溫加熱釋放材料內(nèi)部應(yīng)力從而改善材料質(zhì)量的一種材料處理辦法，氫氣作為保護(hù)氣可以起到防止氧化等作用，多用于薄膜生長(zhǎng)后釋放應(yīng)力。氫氣也可以應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積薄膜生長(zhǎng)。化學(xué)氣相沉積是一種利用固態(tài)-氣態(tài)反應(yīng)、氣態(tài)-氣態(tài)反應(yīng)生成薄膜的設(shè)備，如在CVD工藝中作為還原性氣體制備二維材料MOS2、WS2等；等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝中作為還原性氣體制備石墨烯、單晶硅、碳化硅等；電子回旋共振化學(xué)氣相沉積(ECR-CVD)中作為反應(yīng)氣體在單晶硅襯底上制備金剛石薄膜；金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)設(shè)備中作為載氣制備光電材料GaN、AlGaN等。同時(shí)氫氣也可以在原子層沉積中使用。
 

 

　　目前，普拉勒金剛石氫氣發(fā)生器(半導(dǎo)體專(zhuān)用氫氣發(fā)生器)目前已大量應(yīng)用在以上工藝中，為半導(dǎo)體材料及器件制備提供好的氣源。MOCVD金剛石氫氣發(fā)生器(半導(dǎo)體專(zhuān)用氫氣發(fā)生器)全部工作過(guò)程均由程序控制，自動(dòng)恒壓、恒流，通過(guò)串聯(lián)控制線(xiàn)，可實(shí)現(xiàn)多組并聯(lián)使用，操作方便使用時(shí)只需打開(kāi)電源開(kāi)關(guān)即可產(chǎn)氫，使用后無(wú)需泄壓，直接關(guān)閉電源即可。可連續(xù)使用，也可間斷使用，產(chǎn)氫量穩(wěn)定不衰減，且該設(shè)備配有安全裝置，電解超純水制氫，無(wú)腐蝕、無(wú)污染，配有壓力控制，缺水自動(dòng)監(jiān)控，漏氣自動(dòng)檢測(cè)。