在微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)法生長高品質(zhì)金剛石單晶或多晶薄膜的工藝中,高純度氫氣(H2)不僅是等離子體的激發(fā)介質(zhì),更是碳源分解、表面重構(gòu)與缺陷抑制的關(guān)鍵參與者。氫氣純度、流量穩(wěn)定性與供氣安全性直接決定金剛石晶體的質(zhì)量、生長速率與設(shè)備運行安全。
金剛石MPCVD氫氣發(fā)生器通過電解純水或重整制氫,現(xiàn)場按需產(chǎn)生高純氫氣(≥99.999%),避免了鋼瓶氫的運輸、存儲風(fēng)險與純度波動。

一、氫氣產(chǎn)量下降或壓力不足
現(xiàn)象:輸出流量達(dá)不到設(shè)定值,系統(tǒng)壓力低,影響MPCVD腔體穩(wěn)定放電。
原因與解決方法:
原因1:電解液濃度不足或污染
電解純水型發(fā)生器使用KOH或NaOH溶液,長期運行后濃度降低或雜質(zhì)積累,降低電解效率。
解決:定期檢測電解液濃度(通常25–30%),補充或更換新液;使用高純?nèi)ルx子水配制。
原因2:電解槽老化或結(jié)垢
電極表面氧化、結(jié)垢(如碳酸鹽)導(dǎo)致電阻增大。
解決:按廠家要求進(jìn)行酸洗或化學(xué)清洗;嚴(yán)重時更換電解槽模塊。
原因3:氣路堵塞或泄漏
干燥劑結(jié)塊、管道彎折或接頭松動。
解決:檢查氣路通暢性,更換干燥劑(如分子篩、硅膠);用肥皂水檢測泄漏點并緊固。
二、氫氣純度不達(dá)標(biāo)
現(xiàn)象:MPCVD工藝出現(xiàn)異常放電、晶體發(fā)霧或生長速率下降,懷疑氫氣含氧或含水。
原因與解決方法:
原因1:干燥系統(tǒng)失效
干燥管飽和或再生不充分,導(dǎo)致水分超標(biāo)(露點>-70℃)。
解決:及時更換或再生干燥劑;檢查加熱再生功能是否正常。
原因2:膜分離或鈀合金純化器故障
部分型號發(fā)生器配備膜純化或鈀擴散裝置,若破損或中毒(如硫化物),純度下降。
解決:聯(lián)系廠家檢測或更換純化模塊。
原因3:環(huán)境空氣倒灌
停機時未關(guān)閉出口閥,空氣滲入系統(tǒng)。
解決:停機后立即關(guān)閉氫氣出口閥,啟動前用惰性氣體吹掃管路。
三、頻繁報警(如高溫、過壓、低液位)
現(xiàn)象:設(shè)備自動停機,報警指示燈亮。
原因與解決方法:
原因1:冷卻水不足或溫度過高
電解過程產(chǎn)熱,需循環(huán)水冷卻。水壓低或水溫>30℃導(dǎo)致過熱報警。
解決:檢查水箱水位、水泵運行及水溫,確保冷卻系統(tǒng)正常。
原因2:純水箱缺水
電解消耗水,未及時補充。
解決:使用高純?nèi)ルx子水(電阻率≥1MΩ·cm)及時補水,避免干燒。
原因3:壓力傳感器故障或設(shè)定不當(dāng)
解決:校準(zhǔn)壓力傳感器;檢查壓力釋放閥是否正常。